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March 2011
QSB363C
Subminiature Plastic Silicon Infrared Phototransistor
Features
■ NPN Silicon Phototransistor
■ T-3/4 (2mm) Surface Mount Package
■ Medium Wide Beam Angle, 24°
■ Clear Plastic Package
■ Matched Emitters: QEB363 or QEB373
■ Tape & Reel Option (See Tape & Reel Specifications)
■ Lead Form Options: Gullwing, Yoke, Z-Bend
Package Dimensions
0.276 (7.0)
Description
The QSB363 is a silicon phototransistor encapsulated in
a clear infrared T-3/4 package.
EMITTER
MIN
0.087 (2.2)
0.071 (1.8)
0.024 (0.6)
0.016 (0.4)
0.074 (1.9)
0.019 (0.5)
0.012 (0.3)
.059 (1.5)
.118 (3.0)
.102 (2.6)
.051 (1.3)
0.055 (1.4)
Schematic
COLLECTOR
0.008 (0.21)
0.004 (0.11)
NOTES:
0.106 (2.7)
0.091 (2.3)
0.024 (0.6)
EMITTER
1. Dimensions are in inches (mm).
2. Tolerance of ± .010 (.25) on all non nominal dimensions
unless otherwise specified.
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
QSB363C Rev. 1.0.3
www.fairchildsemi.com
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